Chuyển đến nội dung chính

      

BLOG Các trò chơi trong Casino Phú Quốc

29 tháng 8 năm 2017

Vượt qua vực thẳm sang Các trò chơi trong Casino Phú Quốc kế chất bán dẫn 7nm

Mỗi nút công nghệ mới, nhỏ hơn được phát triển trong lĩnh vực bán Các trò chơi trong Casino Phú Quốc đều có những thách thức riêng và nút 7nm cũng không ngoại lệ. Thông thường, nút công nghệ nhỏ hơn sẽ giảm giá trên mỗi bóng bán Các trò chơi trong Casino Phú Quốc, nhưng lợi ích về chi phí thường thu được từ hình dạng nhỏ hơn không đáng kể như những thay đổi nút trước đó.


Upfront simulation enables engineers to detect and correct potential design problems early in the development process, when corrections are easy and inexpensive to make. Later on, once major features of the product are cemented in place, changes become costlier and more difficult. Các trò chơi trong Casino Phú Quốc solutions like Các trò chơi trong Casino Phú Quốc RedHawk and Các trò chơi trong Casino Phú Quốc SeaScape can help you with your upfront modeling, design, and analysis efforts.

Khử tiếng ồn nguồn là một trong những thách thức lớn ở nút công nghệ bán dẫn 7nm. Vì nguồn điện có thể ở mức thấp tới 470 mV mà không có sự thay đổi về điện áp ngưỡng so với các nút trước đó nên biên độ nhiễu vận hành sẽ thấp hơn đáng kể đối với các Các trò chơi trong Casino Phú Quốc bị 7nm.RedHawk-SCcó thể lập hồ sơ hàng trăm kết hợp Các trò chơi trong Casino Phú Quốc kế này một cách nhanh chóng để giảm thời gian phát triển.

Tương tự như vậy, sự lão hóa do các vấn đề về nhiệt và di chuyển điện (EM) đã trở thành một thách thức đối với các Các trò chơi trong Casino Phú Quốc bị 7nm. Độ dẫn nhiệt, bị giới hạn bởi cấu trúc Các trò chơi trong Casino Phú Quốc bị và khả năng sinh nhiệt cục bộ, do mật độ kim loại cao hơn ở bước sóng 7nm, có thể dẫn đến nhiệt độ Các trò chơi trong Casino Phú Quốc bị cao hơn.


Accurate chip–package thermal analysis using Các trò chơi trong Casino Phú Quốc RedHawk-CTA

Phương pháp tiếp cận tĩnh thông thường để giải quyết các vấn đề Các trò chơi trong Casino Phú Quốc kế này không còn khả thi ở quy trình 7nm. Sự phụ thuộc lẫn nhau của nhiễu nguồn vào thời gian đóng và khả năng tự sưởi ấm trên EM đã tăng lên tại nút này.