BLOG ANSYS
Ngày 13 tháng 4 năm 2021
Nền kinh tế toàn cầu đang chuyển đổi nhanh chóng sang nguồn điện di động và lưu trữBloombergNEFđến năm 2040, hơn Chơi casino doanh số bán xe chở khách sẽ là xe điệnđộ tin cậy Chơi casino pinvà tuổi thọ sẽ quan trọng hơn khi chúng ta chuyển dần khỏi sử Chơi casino phương tiện chạy bằng xăng
đến năm 2040, hơn Chơi casino doanh số bán xe chở khách sẽ là xe điện
là biểu diễn điện Chơi casino đặc tính sạc và xả bằng cách sử dụng một bộ điện trở và tụ điện có nguồn điện áp và dòng điện
Có thể áp dụng thử nghiệm mô tả đặc tính công suất xung lai (HPPC) để xác định hiệu suất động trên các dải điện áp sử dụng được Chơi casino tế bào — dẫn đến nhận dạng thông số pin chính xác để tạo ra các mô hình pin mạnh mẽ cho mô phỏng
Xem hội thảo Chơi casino web để tìm hiểu thêm:Kiểm tra HPPC về mô hình ECM và độ tin cậy Chơi casino pin
Đây là cấu Chơi casino thử nghiệm kết hợp cả xung phóng điện và xung tái tạo diễn ra ở nhiều trạng thái điện tích (SOC)
Bản thân hồ sơ thử Chơi casino bao gồm hai phần:
Chơi casino 1: Cấu Chơi casino kiểm tra bao gồm kiểm tra công suất tĩnh và HPPC
Tốc độ C được định nghĩa là dòng điện đang sử Chơi casino chia cho dòng điện lý thuyết mà theo đó pin sẽ cung cấp công suất định mức danh nghĩa trong một giờ
Pin được sạc ở dòng điện không đổi cho đến khi đạt đến điện Chơi casino sạc (điện Chơi casino ở mức tối đa)
Một khoảng thời gian nghỉ ngơi khác được áp Chơi casino trước khi sạc lại 100% SOC bằng sơ đồ CCCV
đặc biệt nếu chỉ thực hiện nửa đầu (xả) phần tiếp theo Chơi casino hồ sơ kiểm tra – kiểm tra HPPC
Các bước SOC 10% được sử Chơi casino dựa trên dung lượng pin được xác định từ bài kiểm tra dung lượng tĩnh ở trên
Mỗi bước bao gồm:
bao gồm nhiều nhiệt độ và tốc độ C khác nhau Chơi casino các xung (phóng điện và sạc)
Mỗi đường cong điện áp-thời gian được tạo có thể dùng để trích xuất sáu thông số để sử dụng trong Chơi casino hình mạch tương đương pin (ECM):
Chơi casino 2: Các thông số HPPC được ghi lại và xác định
Điện Chơi casino đo được (VM1) là phản ứng điện Chơi casino được dự đoán theo thời gian trong khoảng thời gian nới lỏng
Hình 3: Sơ đồ ECM Chơi casino ắc quy
ECM pin sẽ cần dữ liệu đó để phản ánh chính xác hiệu suất Chơi casino nhiều điều kiện khác nhau
Chơi casino 4: Dữ liệu thử nghiệm và giá trị dự đoán từ xung phóng điện ở mức 50% SOC
có thể được sử dụng để mô phỏng và dự đoán hiệu suất Chơi casino các điều kiện tải và môi trường khác nhau
Mô hình này sau đó có thể được sử dụng để mô phỏng hiệu suất động Chơi casino nhiều điều kiện sử dụng môi trường khác nhau
Ansys hiện có khả năng thực hiện các bài kiểm tra đặc tính pin này và tạo Chơi casino hình để Chơi casino phỏngDịch vụ về độ tin cậy Chơi casino pinhoặcyêu cầu báo giá.