Thiết kế vi mạch công suất thấp: Kỹ Đánh bài casino và phương pháp hay nhất

Công suất thấpMạch Các trò chơi trongThị trường ngày càng tăng của các thiết bị chạy bằng pin khiến các nhà thiết kế chip phải cân nhắc kỹ lưỡng các kỹ Đánh bài casino khác nhau để giảm mức tiêu thụ điện năng của IC

nhà Đánh bài casino kế phải giảm từng thành phần năng lượng riêng lẻ góp phần vào mức tiêu thụ điện năng chungchất bán dẫn oxit kim loại bổ sung (CMOS)bộ biến tần khiến mức tiêu thụ điện năng tỷ lệ thuận với tần số xung nhịp

nên người thiết kế phải cân bằng giữa các yếu tố này bằng cách thử nghiệm và sử dụng các kỹ Đánh bài casino thiết kế tiêu thụ ít năng lượng để tối ưu hóa hiệu suất của thiết kế

Kỹ Đánh bài casino và phương pháp hay nhất cho thiết kế sử dụng năng lượng thấp

Ghép đồng hồ

Một cách để giảm mức tiêu thụ điện năng của Đánh bài casino bị là điều chỉnh Đánh bài casino kế ở mứcLuật chơi casino cấp độ chuyểnnguồn được tiêu thụ khi bóng bán dẫn thay đổi trạng thái logic hoặc khi nguồn được sử dụng để sạc điện dung tải

P_động=_{giới hạn}+_{tạm thời}=_L+_dd ²f N³

trong đó C_LTắt tín hiệu đồng hồ ở một số bộ phận nhất định của IC có thể giúp giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng

Cổng điện

Để sử dụng hiệu quả kỹ Đánh bài casino này, các nhà thiết kế có thể sử dụng các khối cách ly để ngăn các tín hiệu không cần thiết đến từ các khối có cổng nguồn

Kiểm soát tần số

Kỹ Đánh bài casino tốt nhất có thể là tách biệt các khối dựa trên yêu cầu về tần số của chúng và cung cấp tín hiệu đồng hồ khác cho một khối khác

Đánh bài casino kế đa điện áp

Bạn có thể phân vùng chip tùy theo hiệu suất của khối và yêu cầu điện áp của nó

Thang đo tần số và điện áp động

Có một hạn chế đối với kỹ Đánh bài casino đảo điện áp — một khi nguồn điện áp cung cấp cho một khối đã được thiết kế thì sau này không thể thay đổi được thang đo điện áp có thể được kết hợp với thang đo tần số, cho phép người Đánh bài casino kế sửa đổi tín hiệu đồng hồ được cung cấp cho từng khối với sự trợ giúp của chương trình phần mềm

Giảm điện năng

Công suất chuyển mạch động chiếm ưu thế trong các Đánh bài casino kế finFET và tỷ lệ thuận với bình phương của điện áp nguồn

Thỏa thuận điện năng rò rỉ

Điện rò rỉ là hiện tượng tiêu hao điện năng quan trọng trong các công nghệ tiền FinFET và được kiểm soát tốt nhất bằng các thư viện multi-Vt

Bằng cách triển khai các kỹ Đánh bài casino này cũng như sử dụng các công cụ mô phỏng và thiết kế phù hợp, các nhà thiết kế có thể vượt qua những thách thức nàyCờ bạc trực tuyếncho phép bạn Đánh bài casino kế IC công suất thấp, tiết kiệm năng lượng hơn và có thời lượng pin dài hơn

Thách thức Đánh bài casino kế tiêu thụ điện năng thấp

• đặc biệt với Đánh bài casino kế điện áp cực thấpgiảm điện áp (IR)xác thực phê duyệt là một phần Đánh bài casino yếu của mọi Đánh bài casino kế vi mạch hiện đại
• Việc phân tích sụt giảm điện áp cẩn thận là rất quan trọng để giảm thiểu tác động của DVD đến thời gian và tránh mất tần số do tác động giảm IR không mong muốn
• Các vùng đa điện áp yêu cầu quản lý cẩn thận để đảm bảo quá trình chuyển đổi tín hiệu thích hợp và tính toàn vẹn của tín hiệu giữa các vùng điện áp khác nhau
• Gổ điện tạo ra hiện tượng chuyển tiếp đầy thách thức — cả về điện và logic — khi bật lại khối
• Kiểm soát đồng hồ hiệu quả nhất khi được triển khai càng gần gốc của mạng phân phối đồng hồ càng tốt

Tuy nhiên, việc tạo ra một kịch bản hoạt động mang tính đại diện và thực tế nhằm nắm bắt đầy đủ các chế độ năng lượng có thể có khi sử dụng thực tế ở tất cả các chế độ không phải là điều đơn giản

Điều này cho phép các nhà Đánh bài casino kế vi mạch xác định các điểm nóng sụt điện áp tiềm ẩn và mô phỏng hoạt động của chip trong các điều kiện hoạt động khác nhau

thăm nhàCờ bạc trực tuyếnhoặc đọc "Cơ sở của mô phỏng và phân tích tính toàn vẹn năng lượng bán dẫn"