BLOG ANSYS
26/03/2021
Tuân theo một số nguyên tắc đơn giản về khả năng tương thích điện từ khi thiết kế Đánh bài casino sẽ tiết kiệm thời gian và chi phí
Dòng phản hồi sẽ luôn chọn đường có “trở kháng” ít nhất và sẽ tạo thành vòng lặp nhỏ nhất so với đường dẫn của dòng điện tới để giảm thiểu độ tự cảm của vòng lặp (tham khảo hình 1b):
Hình 1: Dòng điện chạy qua vết Đánh bài casino và đường trở về có độ tự cảm nhỏ nhất
Hãy cùng xem một số nguyên tắc Đánh bài casino kế liên quan đến tham chiếu tín hiệu quan trọngAnsys SIwavecho phép kiểm tra quy tắc tham chiếu tín hiệu tự động và có thể tùy chỉnh của Đánh bài casino để xác định các khu vực có thể xảy ra sự cố
dấu vết tham chiếu đến mặt phẳng 1 khi ở lớp trên cùng và đến mặt phẳng 2 khi nó đi xuống lớp dưới cùng thông qua
Hình 2: Tham chiếu thay đổi dấu vết tín hiệu
hai mặt phẳng tham chiếu phải được kết nối thông qua tụ điện và/hoặc vias
điện trường kết hợp tốt từ vết đến mặt phẳng tham chiếu và được chứa rõ trong Đánh bài casino
Hình 3: E - so sánh trường cho dấu vết được định tuyến ra xa và gần mép tham chiếu
Những đường trường E bị rò rỉ này có thể gây ra sự ghép nối ngoài ý muốn với dấu vết trên bảng liền kề trong hệ thống
có tụ điện nối qua phần chia như minh họa trong hình 4b cung cấp đường dẫn dòng điện trở về tần số cao mà không có nhiều sai lệch trên phần chia
Hình 4: Trả về đường dẫn hiện tại khi có sự phân chia trong mặt phẳng tham chiếu
Hãy sử dụng quy Đánh bài casino này trong ví dụ mô phỏng Máy quét SIwave EMI để minh họa tác động của việc phân tách
quy Đánh bài casino phân chia lưới trong Máy quét EMI xác định hai điểm mà tại đó SPI1_SCK ròng vượt qua hai phần phân chia khác nhau trong mặt phẳng tham chiếu và báo cáo chúng là vi phạm
Hình 5: Các vi phạm được báo cáo bởi Máy quét EMI đối với SPI1_SCK
1μF) được tạo (mỗi phần có hai số chia tách)
Hình 6: Ghép các tụ điện được tạo trên các phần tách
Chúng tôi chạy phân tích trường gần trong SIwave trước và sau khi lắp tụ điện
45 MHz trước và sau khi lắp tụ điện
và các ô trường gần cho thấy mức độ giảm dần
Hình 8 thể hiện phân tích so sánh của trường xa mô phỏng từ Đánh bài casino này ở khoảng cách - mét trong dải tần 30 MHz ‒1 GHz
Hình 8: So sánh lượng phát thải bức xạ trong phạm vi 1 mét
rõ ràng là tham chiếu tín hiệu có vai trò quan trọng trong việc có thể tránh các sự cố EMI ở cấp độ Đánh bài casino và sau đó là ở cấp độ sản phẩm
giúp nhà thiết kế Đánh bài casino thực hiện các thay đổi về thiết kế, sau đó có thể được mô phỏng lại để đạt được độ tin cậy trước khi chuyển sang mô phỏng cấp thành phần và cấp hệ thống hoặc thử nghiệm vật lý tiếp theo
Để tìm hiểu thêm về cách sử dụng Máy quét EMI của SIwave, hãy xem video bên dưới và các video khác trên trang của chúng tôiKênh Youtube SIwave.