Quy tắc thiết kế sòng bạc việt nam để tương thích điện từ

Tuân theo một số nguyên tắc đơn giản về khả năng tương thích điện từ khi thiết kế sòng bạc việt nam sẽ tiết kiệm thời gian và chi phí

Dòng phản hồi sẽ luôn chọn đường có “trở kháng” ít nhất và sẽ tạo thành vòng lặp nhỏ nhất so với đường dẫn của dòng điện tới để giảm thiểu độ tự cảm của vòng lặp (tham khảo hình 1b):

Hình 1: Dòng điện chạy qua vết sòng bạc việt nam và đường trở về có độ tự cảm nhỏ nhất

Hãy cùng xem một số nguyên tắc sòng bạc việt nam kế liên quan đến tham chiếu tín hiệu quan trọngAnsys SIwavecho phép kiểm tra quy tắc tham chiếu tín hiệu tự động và có thể tùy chỉnh của sòng bạc việt nam để xác định các khu vực có thể xảy ra sự cố

Quy sòng bạc việt nam 1: Tham chiếu thay đổi ròng

dấu vết tham chiếu đến mặt phẳng 1 khi ở lớp trên cùng và đến mặt phẳng 2 khi nó đi đến lớp dưới cùng thông qua

Hình 2: Tham chiếu thay đổi dấu vết tín hiệu

hai mặt phẳng tham chiếu phải được kết nối thông qua tụ điện và/hoặc vias

Quy sòng bạc việt nam 2: Lưới gần mép tham chiếu

điện trường kết hợp tốt từ vết đến mặt phẳng tham chiếu và được chứa rõ trong sòng bạc việt nam

Hình 3: E - so sánh trường cho dấu vết được định tuyến ra xa và gần mép tham chiếu

Những đường trường E bị rò rỉ này có thể gây ra sự ghép nối ngoài ý muốn với dấu vết trên bảng liền kề trong hệ thống

Quy sòng bạc việt nam 3: Chia chéo lưới

có tụ điện nối qua phần chia như minh họa trong hình 4b cung cấp đường dẫn dòng điện trở về tần số cao mà không có nhiều sai lệch trên phần chia

Hình 4: Trả về đường dẫn hiện tại khi có sự phân chia trong mặt phẳng tham chiếu

Hãy sử dụng quy sòng bạc việt nam này trong ví dụ mô phỏng Máy quét SIwave EMI để minh họa tác động của việc phân tách

Ví dụ về phân chia chéo mạng: Mô phỏng và mối liên hệ với yêu cầu kiểm tra thực tế

quy sòng bạc việt nam phân chia lưới trong Máy quét EMI xác định hai điểm mà tại đó SPI1_SCK ròng vượt qua hai phần phân chia khác nhau trong mặt phẳng tham chiếu và báo cáo chúng là vi phạm

Hình 5: Các vi phạm được báo cáo bởi EMI Scanner đối với SPI1_SCK

1μF) được tạo (mỗi phần có hai số được chia)

Hình 6: Khâu các tụ điện được tạo trên các phần tách

Chúng tôi chạy phân tích trường gần trong SIwave trước và sau khi lắp tụ điện

45 MHz trước và sau khi lắp tụ điện

và các ô trường gần cho thấy mức độ giảm dần

Hình 8 thể hiện phân tích so sánh của trường xa mô phỏng từ sòng bạc việt nam này ở khoảng cách - mét trong dải tần 30 MHz ‒1 GHz

Hình 8: So sánh lượng phát thải bức xạ trong phạm vi 1 mét

rõ ràng là tham chiếu tín hiệu có vai trò quan trọng trong việc có thể tránh các sự cố EMI ở cấp độ sòng bạc việt nam và sau đó là ở cấp độ sản phẩm

giúp nhà thiết kế sòng bạc việt nam thực hiện các thay đổi về thiết kế, sau đó có thể được mô phỏng lại để đạt được độ tin cậy trước khi chuyển sang mô phỏng cấp thành phần và cấp hệ thống hoặc thử nghiệm vật lý tiếp theo

Để tìm hiểu thêm về cách sử dụng Máy quét EMI của SIwave, hãy xem video bên dưới và các video khác trên trang của chúng tôiKênh Youtube SIwave.