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    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc 博客

    ngày 19 tháng 7 năm 2023

    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc减少芯片设计中的电迁移

    ， 我们每天所使用的各种设备的可靠运行都依赖于集成电路 ic ic） ，的一个部分传输到另一个部分。由于需要提高速度以及设计的复杂性 的一个部分传输到另一个部分。由于需要提高速度以及设计的复杂性 这会迫使更多的电能流向体积更小的器件 ， ， ，

    什么是电迁移？

    电迁移是由电流流动引起的原子运动。

    ， ， ，之增加 ， ， ，

    em

    图片 ： ： ， 在半导体互连器件中形成的空隙和小丘

    电流增大、温度升高、机械应力增加、导体存在缺陷以及杂质的存在都会加速电迁移。这些影响电迁移的因素可通过 Đen 方程进行捕获MTTF） （arrhenius） ： ：

    em
    • j ： ：
    • N ： 比例因子
    • K ：
    • t ： 温度 （单位为开尔文）
    • Ea： ： （单位为焦耳 单位为焦耳

    Đen 方程由 Robert Black 于 1969 ， ， ， MTTF 与导线的电流密度、温度和材料属性的相关性。

    电流密度 ：由于较大的导线具有更大的横截面面积 ， ， ，

    温度 ：随着温度升高 ， ， ，

    材料属性 ：某些材料具有更强的抗电迁移能力。例如 ，

    ， ， ， ， ， ，

    如何减轻芯片设计中的电迁移影响

    为了避免电子组件中金属迁移所带来的失败和危险 ， ： ：

    1. 增加互连宽度 ，
    2. 使用具有高电迁移耐力的材料 ，
    3. 使用冗余通孔来分流电流强度。
    4. 减少互连器件之间的间距。
    5. 设计低电压水平的电路。

    当然 ，芯片设计中的电迁移问题可能需要多种方法相结合。在为超大规模集成 （VLSI） ，流经互连器件的电流密度以及电阻增加的各种原因 ，

    面对互连长度的增加以及宽度的减小、高电流密度和较差的散热能力 ， ， ，

    芯片设计中的电迁移测试与监控

    ， ， ， ，间的间距 ， ， ，

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    成果 ： ：

    ， 、选择合适的材料、控制温度和精心管理制造工艺 ，

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