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    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc博客

    19 tháng 7 năm 2023

    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc减少芯片设计中的电迁移

    由于需要提高速度以及设计的复杂性——这会迫使更多的电能流向体积更小的器件，

    什么是电迁移？

    电迁移是由电流流动引起的原子运动。

    这种运动可通过形成空隙或小丘来改变导体的物理结构，

    EM建模

    图片：金属原子从某些区域向其它区域的电迁移

    这些影响电迁移的因素可通过Đen方程进行捕获——这是一种用平均故障时间（

    EM建模
    • J：电流密度
    • N：比例因子
    • k：玻尔兹曼常数
    • 单位为开尔文）
    • Ea单位为焦耳）

    Đen方程由Robert Black于1969年提出，

    电流密度：由于较大的导线具有更大的横截面面积，

    温度：原子运动速度加快，

    材料属性：铜的高导电性使其成为比铝更受欢迎的选择

    由于这些设备的可靠性能取决于芯片，

    如何减轻芯片设计中的电迁移影响

    为了避免电子组件中金属迁移所带来的失败和危险，

    1. 增加互连宽度，
    2. 使用具有高电迁移耐力的材料，
    3. 使用冗余通孔来分流电流强度。
    4. 减少互连器件之间的间距。
    5. 设计低电压水平的电路。

    当然，解决芯片设计芯片设计人员必须分析流经互连器件的电流密度以及电阻增加的各种原因，

    高电流密度和较差的散热能力，

    芯片设计中的电迁移测试与监控

    增加互连宽度将减少电阻和电流密度，

    Bắt cờ bạc online mới nhất 2024 RedHawk-SC 数字等仿真软件让芯片设计人员能够预测和分析互连器件的行为，Đồng hồ Cách chơi还能帮助企业避免成本高昂的错误和产品召回

    成果：可靠的电子设备

    但可以通过一些措施来防止或最大限度减轻电迁移影响

    了解并应对电迁移带来的挑战至关重要，Bắt cờ bạc online mới nhất 2024 RedHawk-SC 数字和工程师也能更快速构建更强大可靠的芯片系统