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    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc 部落格

    19 tháng 7 năm 2023

    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc減輕晶片設計中的電遷移 (Điện kết)

    ， ， (ic) ，一部分將電子訊號傳送至另一個部分。然而 ， ， ， ， ，

    什麼是電遷移？

    電遷移是電流流動導致的原子移動。

    ， ， ， ，也隨之增加 ， ， ，

    em

    ， ， ， ， ， ，

    電遷移程序的速度可能會因電流較高、溫度較高、機械壓力提升、導體缺陷及存在雜質等因素而加快。這可透過 Đen ， 這種 Arrhenius 方程式以經驗為依據， 可透過平均故障間隔時間 (mttf) 來說明此現象 ：

    em
    • j ：
    • N ：
    • K ： Boltzmann
    • t ： 溫度 (以 k 為單位)
    • Ea

    Đen 方程式是由 Robert Black 在 1969 ， ， ， MTTF 以及電線的電流密度、溫度和材料特性之間建立了關聯。

    電流密度 ：， ， ， ，

    溫度 ：， ， ， ，

    材料特性 ：部分材料對電遷移具有較大的抗性。例如 ， ， ，

    ， ， ，功能性。

    如何在晶片設計中減輕電遷移的影響

    ， ， ， 包括 ：

    1. 增加互連寬度以降低電流密度。
    2. 使用對電遷移具有高抗性的材料 ，
    3. 使用冗餘孔位讓電流強度轉向。
    4. 縮減互連之間的間隔。
    5. 針對較低電壓位準設計電路。

    ， ，晶片設計， ， (VLSI) ，電流密度 ，

    ， ， ， ，

    晶片設計中的電遷移測試與監控

    ， ， ， ，間隔 ， ， ，

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    結果 ： ：

    ，化、選擇正確的材料、控制溫度 ， ， ，

    ， ， ， ，Bắt cờ bạc online mới nhất 2024 RedHawk-SC 數位 和 Cách chơi casino Totem/Totem-SC AMS 電源完整， ， ， ，