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    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc 部落格

    19 tháng 7 năm 2023

    Các trò chơi trong Casino Phú Quốc減輕晶片設計中的電遷移 (Điện di chuyển)

    我們每天都會使用各種仰賴積體電路 (IC) 或晶片才能運作的裝置

    什麼是電遷移？

    電遷移是電流流動導致的原子移動。

    這種移動會改變導體的實體結構，

    EM 建模

    進而在半導體互連中形成空孔和凸起的情況

    可透過平均故障間隔時間 (MTTF) 來說明此現象：

    EM 建模
    • J：電流密度
    • N：比例因數
    • Boltzmann 的常數
    • 溫度 (以 K 為單位)
    • Ea啟動能量 (以 J 為單位)

    Đen 方程式是由 Robert Black 在 1969 年推導所得，

    電流密度：由於較粗的電線具有較大的截面面積，

    溫度：原子的移動速度會加快，

    材料特性：部分材料對電遷移具有較大的抗性

    由於晶片有責任讓這些裝置保有可靠效能，

    如何在晶片設計中減輕電遷移的影響

    為了避免電子元件中金屬移轉失敗或造成危險，

    1. 增加互連寬度以降低電流密度。
    2. 使用對電遷移具有高抗性的材料，
    3. 使用冗餘孔位讓電流強度轉向。
    4. 縮減互連之間的間隔。
    5. 針對較低電壓位準設計電路。

    當然，若要在晶片設計為超大規模整合 (VLSI) 設計互連時，

    都需要採用極度複雜的電磁原則，

    晶片設計中的電遷移測試與監控

    增加互連寬度會降低電阻和電流密度，

    Bắt cờ bạc online mới nhất 2024 RedHawk-SC 數位等模擬軟體可讓晶片設計師預測並分析互連的行為，Đồng hồ Cách chơi casino也能協助公司避免成本高昂的錯誤和必須召回產品

    結果：可靠的電子產品

    雖然電遷移可能造成破壞性的影響，

    瞭解並解決電遷移帶來的挑戰至關重要，Bắt cờ bạc online mới nhất 2024 RedHawk-SC 數位和Cách chơi casino Totem/Totem-SC AMS 電源完整性更強大且更可靠的系統，