入射光をデジタル画像に変換するように設計された相補型金属酸化膜半導体（
CMOSイメージセンサーは標準的な半導体製造技術で製造されるため
| sòng bạc việt nam | CMOS |
アプローチ | カスケードコンデンサ | トランジスタに接続されたフォトダイオード |
検出器の信号タイプ | 電子パケット | 電圧 |
チップ出力 | アナログ信号 | デジタル |
画質 | 高 | 中～高 |
電力消費量 | 中～高 | 低 |
コスト | 中 | 大量生産の場合は低 |
速度 | 中 | 高 |
ダイナミックレンジ | 高 | 中 |
量子効率 | 高 | 中～高 |
CMOSイメージセンサーはピクセルの配列で構成されており
ベイヤーフィルタパターンで配置された2×2ピクセルの光検出器
カラーフィルタとフォトダイオードに光を集束させるマイクロレンズがあります
単一の光検出器のジオメトリ
入射光子を測定するフォトダイオードで構成されていますトランジスタとバスは発生した電流を増幅して送ります
デジタル画像を構築して出力するために使用されるアナログ回路やデジタル回路が実装されます
原子レベルの物理特性からデバイスアセン.
フォトダイオードの振る舞いは重要です暗電流、発生した電荷など、さまざまなChơi xì dách検出される光の波長も考慮する必要があります
センサーアレイに投影される画質に依存します最適化されたレンズアセンブリを開発レンズからセンサー表面への空間的に変化する垂直でない入射光の影響も考慮する必要があります
必要なアナログ回路およびデジタル回路をすべてセンサーと同じチップ上に集積回路として配置し電力の問題効率的なアナログ-デジタルコンバータ（
画像を使用するデバイスに接続する必要があります振動の問題に対処する必要があります光学チップはカメラシステムを使用ま.
同じサイズまたはより小型のスマートフ.
CMOSイメージセンサーを搭載したカメラの速度も向上しています
センサーチップ上でのデジタル画像処理に対する研究が進むことが予測されます
